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GSID100A120T2C1

Fabricantes:	Global Power Technologies Group
Categoría de producto:	Transistors - IGBTs - Modules
Ficha técnica:	GSID100A120T2C1
Descripción:	SILICON IGBT MODULES
Estado RoHS:	Cumple con RoHS

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Global Power Technologies Group
Categoría de producto	Transistors - IGBTs - Modules
Entrada	Three Phase Bridge Rectifier
Serie	Amp+™
Tipo IGBT	-
Estado de la pieza	Active
Potencia - Máx.	640W
Configuración	Three Phase Inverter
Tipo de montaje	Chassis Mount
Termistor NTC	Yes
Paquete / Caso	Module
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C
Paquete de dispositivos de proveedores	Module
Vce(on) (Max) á Vge, Ic	2.1V @ 15V, 100A
Corriente - Colector (Ic) (máx.)	200A
Capacitancia de entrada (Cies) - Vce	13.7nF @ 25V
Corriente - Corte del colector (máx.)	1mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)	1200V