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GSID080A120B1A5

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Categoría de producto: Transistors - IGBTs - Modules
Ficha técnica: GSID080A120B1A5
Descripción: SILICON IGBT MODULES
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante Global Power Technologies Group
Categoría de producto Transistors - IGBTs - Modules
Entrada Standard
Serie Amp+™
Tipo IGBT -
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 1710W
Configuración Single
Tipo de montaje Chassis Mount
Termistor NTC Yes
Paquete / Caso Module
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C
Paquete de dispositivos de proveedores Module
Vce(on) (Max) á Vge, Ic 2V @ 15V, 80A
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 160A
Capacitancia de entrada (Cies) - Vce 7nF @ 25V
Corriente - Corte del colector (máx.) 1mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 1200V

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