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GP1M010A080N
| Fabricantes: | Global Power Technologies Group |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Ficha técnica: | GP1M010A080N |
| Descripción: | MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN |
| Estado RoHS: | Cumple con RoHS |
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | Global Power Technologies Group |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
| Vgs (máx.) | ±30V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Característica FET | - |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / Caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Vgs(th) (Max) - Id | 4V @ 250µA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 1.05Ohm @ 5A, 10V |
| Disipación de energía (máx.) | 312W (Tc) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | TO-3PN |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 53nC @ 10V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 900V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 2336pF @ 25V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 10A (Tc) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
En stock 0 pcs
| Precio de refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
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