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GP1M009A020HG
| Fabricantes: | Global Power Technologies Group |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Ficha técnica: | GP1M009A020HG |
| Descripción: | MOSFET N-CH 200V 9A TO220 |
| Estado RoHS: | Cumple con RoHS |
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | Global Power Technologies Group |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
| Vgs (máx.) | ±30V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Característica FET | - |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / Caso | TO-220-3 |
| Vgs(th) (Max) - Id | 5V @ 250µA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 400mOhm @ 4.5A, 10V |
| Disipación de energía (máx.) | 52W (Tc) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | TO-220 |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 8.6nC @ 10V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 200V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 414pF @ 25V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 9A (Tc) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
En stock 0 pcs
| Precio de refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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