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GD25S512MDBIGY

Fabricantes:	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Categoría de producto:	Memory
Ficha técnica:	GD25S512MDBIGY
Descripción:	NOR FLASH
Estado RoHS:	Cumple con RoHS

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Categoría de producto	Memory
Serie	-
Empaquetado	Tray
Tecnología	FLASH - NOR
Tamaño de la memoria	512Mb (64M x 8)
Tipo de memoria	Non-Volatile
Estado de la pieza	Active
Formato de memoria	FLASH
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	24-TBGA
Frecuencia del reloj	104MHz
Interfaz de memoria	SPI - Quad I/O
Voltaje - Suministro	2.7V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 85°C (TA)
Paquete de dispositivos de proveedores	24-TFBGA (6x8)
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página	50µs, 2.4ms