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EPC2105ENGRT

Fabricantes:	EPC
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica:	EPC2105ENGRT
Descripción:	GANFET 2NCH 80V 9.5A DIE
Estado RoHS:	Cumple con RoHS

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	EPC
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie	eGaN®
Tipo FET	2 N-Channel (Half Bridge)
Empaquetado	Digi-Reel®
Característica FET	GaNFET (Gallium Nitride)
Estado de la pieza	Active
Potencia - Máx.	-
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	Die
Vgs(th) (Max) - Id	2.5V @ 2.5mA
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	14.5mOhm @ 20A, 5V
Paquete de dispositivos de proveedores	Die
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	2.5nC @ 5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	80V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	300pF @ 40V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	9.5A