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DMP2010UFG-13

Fabricantes: Diodes Incorporated
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: DMP2010UFG-13
Descripción: MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante Diodes Incorporated
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±10V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) - Id 1.2V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 9.5mOhm @ 3.6A, 4.5V
Disipación de energía (máx.) 900mW (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores PowerDI3333-8
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 103nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 3350pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 12.7A (Ta), 42A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V

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