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DMN3013LDG-7

Fabricantes:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica:	DMN3013LDG-7
Descripción:	MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333
Estado RoHS:	Cumple con RoHS

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Diodes Incorporated
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie	-
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Empaquetado	Tape & Reel (TR)
Característica FET	Standard
Estado de la pieza	Active
Potencia - Máx.	2.16W (Ta)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	8-PowerLDFN
Vgs(th) (Max) - Id	1.2V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	14.3mOhm @ 4A, 8V
Paquete de dispositivos de proveedores	PowerDI3333-8 (Type D)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	5.7nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	600pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	9.5A (Ta), 15A (Tc)