Fabricantes: | Diodes Incorporated |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | DMN2300UFB4-7B |
Descripción: | MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN |
Estado RoHS: | Cumple con RoHS |
Atributo | Valor de atributo |
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Fabricante | Diodes Incorporated |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
Tipo FET | N-Channel |
Empaquetado | Digi-Reel® |
Vgs (máx.) | ±8V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | 3-XFDFN |
Vgs(th) (Max) - Id | 950mV @ 250µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 175mOhm @ 300mA, 4.5V |
Disipación de energía (máx.) | 500mW (Ta) |
Paquete de dispositivos de proveedores | X2-DFN1006-3 |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 1.6nC @ 4.5V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 64.3pF @ 25V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 1.3A (Ta) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Precio de refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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