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DMN2015UFDF-13

Fabricantes: Diodes Incorporated
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: DMN2015UFDF-13
Descripción: MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante Diodes Incorporated
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±12V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 6-UDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) - Id 1.2V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 9mOhm @ 8.5A, 4.5V
Disipación de energía (máx.) 1.8W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores U-DFN2020-6
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 42.3nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1439pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 15.2A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V

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