Fabricantes: | Diodes Incorporated |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | DMN2015UFDF-13 |
Descripción: | MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6 |
Estado RoHS: | Cumple con RoHS |
Atributo | Valor de atributo |
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Fabricante | Diodes Incorporated |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
Tipo FET | N-Channel |
Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
Vgs (máx.) | ±12V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | 6-UDFN Exposed Pad |
Vgs(th) (Max) - Id | 1.2V @ 250µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 9mOhm @ 8.5A, 4.5V |
Disipación de energía (máx.) | 1.8W (Ta) |
Paquete de dispositivos de proveedores | U-DFN2020-6 |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 42.3nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 1439pF @ 10V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 15.2A (Ta) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Precio de refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.13 | $0.13 | $0.12 |