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DMN13H750S-13

Fabricantes: Diodes Incorporated
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: DMN13H750S-13
Descripción: MOSFET N-CH 130V 1A SOT23
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante Diodes Incorporated
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 750mOhm @ 2A, 10V
Disipación de energía (máx.) 770mW (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores SOT-23
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 5.6nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 130V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 231pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 1A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

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