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DMG3N60SJ3

Fabricantes:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	DMG3N60SJ3
Descripción:	MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251
Estado RoHS:	Cumple con RoHS

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Diodes Incorporated
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	Automotive, AEC-Q101
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Tube
Vgs (máx.)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete / Caso	TO-251-3, IPak, Short Leads
Vgs(th) (Max) - Id	4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	3.5Ohm @ 1.5A, 10V
Disipación de energía (máx.)	41W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	TO-251
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	12.6nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	650V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	354pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	2.8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V