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CYD18S36V18-200BBAXI

Fabricantes: Cypress Semiconductor Corp
Categoría de producto: Memory
Ficha técnica: CYD18S36V18-200BBAXI
Descripción: IC SRAM 18M PARALLEL 256FBGA
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante Cypress Semiconductor Corp
Categoría de producto Memory
Serie -
Empaquetado Tray
Tecnología SRAM - Dual Port, Synchronous
Tiempo de acceso 3.3ns
Tamaño de la memoria 18Mb (512K x 36)
Tipo de memoria Volatile
Estado de la pieza Obsolete
Formato de memoria SRAM
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 256-LBGA
Frecuencia del reloj 200MHz
Número de pieza base CYD18S36
Interfaz de memoria Parallel
Voltaje - Suministro 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 85°C (TA)
Paquete de dispositivos de proveedores 256-FBGA (17x17)
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página -

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